2016年4月8日，晶湛半导体获得A轮融资，金额未透露，投资方为苏州科技创投。
　　2018年12月6日，晶湛半导体获得B轮融资，金额未透露，投资方为恒信华业。
　　2019年4月3日，晶湛半导体获得C轮融资，金额未透露，投资方为天合光能、元禾控股。

　　2012年3月，苏州晶湛半导体有限公司成立。公司坐落于江苏省苏州工业园区纳米城，致力于第三代半导体关键材料——氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。      
　
　　苏州晶湛半导体有限公司生产的硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。完美的应力控制技术使得材料的翘曲控制处于业界的领先地位，出色的外延生长技术和良好的品质管控能力确保了外延材料批量化生产的均匀性和一致性。2014年底，晶湛半导体在全球首家发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，并填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白。截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。目前，晶湛半导体已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

　　由于契合全球半导体产业的发展趋势及其明显的技术优势，晶湛半导体已先后获得“国家高新技术企业”、“江苏省民营科技企业”、“江苏省科技型中小企业”、“苏州市技术发明一等奖”、“江苏省2017年百件优质发明专利”、“江苏省高质量发明专利”、“苏州工业园区专利授权十佳企业”、科技创新进步奖、国际专利创造奖等企业资质和荣誉奖项。同时晶湛半导体在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有独立的自主知识产权，截止目前在国内外累计申请了百余项专利，其中已获得数十项授权。此外，晶湛半导体制度规范、体系完备，于2018年通过了 ISO9001 质量体系认证。
　
　　苏州晶湛半导体有限公司将一直秉承着“成为服务全球的氮化镓外延材料制造商” 的愿景，为客户创造价值。