2017年2月3日，普冉半导体获得Pre-A轮融资，金额未透露，投资方为赛伯乐投资。
　　2019年10月29日，普冉半导体获得A轮融资，金额未透露，投资方为同创伟业、元禾控股、亦合资本。
　　2020年1月15日，普冉半导体获得A+轮融资，金额未透露，投资方为张江火炬创投。

　　普冉半导体（上海）有限公司是非易失性存储器、高安全存储器、无刷直流风机以及高性能磁传感芯片的供应商。作为一家技术创新型半导体设计公司，公司成立于2012年，总部位于上海张江高科技园区，深圳设有销售和现场应用服务与支持中心，同时在北京、台湾和韩国设有办事处。
　
　　作为半导体行业的创新者，普冉联合国内领先晶圆厂，整合最先进的设计和工艺优势，致力于研发28nm~55nm超低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品，可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉的NOR型串行Flash存储器产品，具有极具竞争力的裸芯片尺寸和超高性能优势，为MCP 和MCU 方案商提供了一个很好的选择。
　
　　普冉还推出的130nm 非易失性IIC EEPROM存储器具备业界领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，在智能电网、汽车前装、工业控制、以及新兴的IoT领域广泛应用。

　　普冉半导体（上海）有限公司是专注于汽车、工业及消费类应用的超低功耗Flash存储器、高安全Flash存储器、高可靠性EEPROM存储器、直流电机驱动及高性能磁传感芯片的无自有晶圆厂半导体设计公司。公司成立于2012年，总部位于上海张江高科技园区，在深圳南山科技园新区设有销售和现场应用服务与支持中心。
　
　　作为半导体行业创新者，普冉推出业界最为领先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具备100nA休眠功耗和小于5mA擦写读功耗，广泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家电、太阳能和车载娱乐领域。
　
　　新一代110nm非易失性EEPROM存储器具备国内领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，在智能电网、汽车前装、工业控制领域广泛应用。
　
　　普冉配合国内领先半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。
　
　　普冉致力于成为世界领先的利基市场非易失存储器芯片及新型存储器芯片设计公司。