2015年3月1日，天科合达获得A轮融资，金额未透露，投资方为中和元投资。

　　2017年4月10日，天科合达在新三板挂牌上市，股票代码：870013。

　　2019年8月9日，天科合达在新三板退市。

　　2019年10月8日，天科合达获得战略投资，金额未透露，投资方为国家集成电路产业投资基金、哈勃投资(华为旗下)。

　　2021年1月12日，天科合达获得1.25亿人民币的战略投资，投资方为天富能源。

　　北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为18384万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。

　　天科合达坚持现代企业管理制度，具备完整、规范的管理体系，已通过ISO9001:2015 质量管理体系认证。总部公司设在北京市大兴区生物医药基地，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。

　　天科合达被认定为“国家高新技术企业”、“北京科技研究开发机构”；先后承担国家科技部科技支撑计划、863计划、02重大专项等多个国家部委、北京市重点科技攻关项目和新疆建设兵团重大研究计划等项目数十项；荣获科技部授予的“十一五”国家科技计划执行优秀团队奖、兵团科技进步一等奖。公司先后申请专利40余项，已获得专利34项；参与起草并正式发布国家标准4项，行业标准1项，团体标准6项。我公司立足于自主研发，坚持产业创新，打破了国外企业的技术垄断。目前公司在碳化硅单晶行业世界排名位于第四位，国内排名居前列。公司核心创业团队和相关投资方一致坚定看好公司未来发展。SiC作为第三代半导体基础材料，以天科合达为代表的国内技术和发达国家的技术差距正在不断缩小，完全有实力在半导体基础衬底行业实现换道超车。

　　作为国内较早一批从事碳化硅产业并形成较大规模的企业，依托于中国科学院物理所多年在碳化硅领域的研究成果，集技术、管理、市场和资金优势，在国内建立了完整的碳化硅晶片生产线，突破了缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，将自主研发的关键新技术成功应用到新疆和北京生长基地，在国内实现碳化硅晶体的产业化，打破了国外长期的技术封锁和垄断，向国内60余家科研机构批量供应晶片（包括半绝缘、导电、沿c轴和偏角度等），推动了碳化硅外延、器件等相关的基础研究，带动中车集团等20多家（包含新成立的5家）企业进入下游外延、器件和模块产业，在国内形成了完整的产业链，推动了我国宽禁带半导体产业的发展，同时对新疆地区高科技产业的发展起到了引领和带动作用，填补了疆内宽禁带半导体产业的空白。晶片产品大量出口至欧、美和日本等20多个国家和地区，成为我国少数进入国外知名大企业的高技术产品。自2009年以来，天科合达公司连续被国际著名半导体咨询机构YOLE公司列为全球碳化硅晶片主要制造商之一。